CKD Technology nie tylko posiada w magazynie zupełnie nowe maszyny, dostępne od ręki.
Prowadzimy również szczegółową działalność związaną z wynajmem, gotową spełnić Twoje specyficzne wymagania produkcyjne, jednocześnie znacznie obniżając początkową inwestycję. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej szczegółów.
CKD dysponuje zespołem profesjonalnych inżynierów, gotowych świadczyć usługi pod klucz.
W sprawie handlu używanymi maszynami prosimy o kontakt za pośrednictwem Whatspp lub e-maila.
-------------------------------------------------------------------------------------
Seria MYS10iL to w pełni zautomatyzowany, liniowy system przetwarzania plazmowego opracowany do zastosowań w różnych sektorach, w tym półprzewodników, elektroniki, SMT, optoelektroniki i technologii medycznej.
• System plazmy argonowej pod ciśnieniem atmosferycznym
• Wsadowa obróbka plazmowa o szerokości 100 mm; oferuje 2–5 razy wyższą wydajność i ponad 30% niższe koszty eksploatacji w porównaniu do metod tradycyjnych
• 100% neutralna plazma; bezpieczny i delikatny dla wrażliwych elementów elektronicznych — brak bombardowania plazmą, elektryczności statycznej, iskier, łuków, kurzu, wysokich temperatur, zmarszczek powierzchniowych lub promieniowania UV
• Wszechstronne procesy chemiczne: proces O2 do usuwania zanieczyszczeń organicznych; Proces H2 polegający na usuwaniu tlenków metali i aktywacji powierzchni produktów
• Nie powoduje zanieczyszczenia produktu cząstkami stałymi lub cieczą
| Podstawowe parametry | MYS10iL |
| Wymagania dotyczące zasilania | AC 200 ~ 240 V, 4,5 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Wymagania dotyczące ciśnienia powietrza | 90 psi (6 barów) |
| Wymiary | 1000 x 1500 x 1550 mm |
| Waga | 1050 kg |
| Orzecznictwo | CE |
| Dokładność pozycjonowania | XY: ±50µm przy 3σ; Z: ±10µm przy 3σ |
| Powtarzalność osi XYZ | XY: ±25µm przy 3σ; Z: ±5µm przy 3σ |
| Maksymalna prędkość | 1000 mm/s (XY) |
| Przyśpieszenie | 1,0 g |
| Układ napędowy | Serwo AC |
| Parametry platformy roboczej | |
| Typ przenośnika | Pasek |
| Nośność przenośnika | 3 kg |
| Zakres grubości PCB (bez nośnika) | 0,5–6 mm |
| Podróż w osi Z | 60mm |
| Maks. Wysokość komponentu (górna strona) | 45mm |
| Maks. Wysokość komponentu (dolna strona) | 23 mm |
| Protokół komunikacyjny | SMEMA |
| Zakres roboczy | |
| Obszar obróbki plazmowej (szer. × gł.) | 550–760 mm |
| Kąt zwilżania wodą (WCA) po obróbce plazmowej | WCA < 10° (płytka krzemowa) WCA < 20° (materiały niemetalowe) |
| Metoda obróbki plazmowej | Proces O2 do usuwania zanieczyszczeń organicznych Proces H2 do usuwania tlenków metali |
| Wymagania sprzętowe systemu plazmowego | |
| Moc RF | 600 W przy 27,12 MHz |
| Główny gaz plazmowy | Argon |
| Gaz procesowy | O2, N2 lub H2 |
| Zakres ciśnienia zasilania gazem | 0,3–0,7 MPa (40–100 psi) |
Adres
5. piętro, budynek 2, nr 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, prowincja Guangdong, Chiny.
Tel
