CKD Technology nie tylko posiada w magazynie zupełnie nowe maszyny, dostępne od ręki.
Prowadzimy również szczegółową działalność związaną z wynajmem, gotową spełnić Twoje specyficzne wymagania produkcyjne, jednocześnie znacznie obniżając początkową inwestycję. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej szczegółów.
CKD dysponuje zespołem profesjonalnych inżynierów, gotowych świadczyć usługi pod klucz.
W sprawie handlu używanymi maszynami prosimy o kontakt za pośrednictwem Whatspp lub e-maila.
-------------------------------------------------------------------------------------
Seria MYS10 to w pełni zautomatyzowany, liniowy system przetwarzania plazmowego opracowany do zastosowań w takich sektorach, jak półprzewodniki, elektronika, SMT, optoelektronika i technologia medyczna.
• System plazmy argonowej pod ciśnieniem atmosferycznym
• Wsadowa obróbka plazmowa o szerokości 100 mm; oferuje 2–5 razy wyższą wydajność i ponad 30% niższe koszty eksploatacji w porównaniu do metod tradycyjnych
• 100% neutralna plazma; bezpieczny i delikatny dla wrażliwych elementów elektronicznych — nie wytwarza bombardowania plazmą, elektryczności statycznej, iskier, łuków, kurzu, wysokiej temperatury, zmarszczek powierzchniowych ani promieniowania UV, zapewniając zerowe uszkodzenie produktów
• Kompaktowa platforma plazmowa oferująca wysoką elastyczność i kompatybilność
• Wszechstronne procesy chemiczne: proces O2 do usuwania zanieczyszczeń organicznych; Proces H2 polegający na usuwaniu tlenków metali i aktywacji powierzchni produktów
• Brak wytwarzania zanieczyszczeń w postaci cząstek lub cieczy
| Podstawowe specyfikacje | MYS10 |
| Wymagania dotyczące zasilania | AC 200–240 V, 4,4 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Wymagania dotyczące ciśnienia powietrza | 90 psi (6 barów) |
| Wymiary | 790 x 1200 x 1880 mm |
| Waga | 800 kg |
| Standardy certyfikacji | CE, SEMI S2 |
| Dokładność pozycjonowania | XY: ±30 µm @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| Powtarzalność osi XYZ | XY: ±15 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Maksymalna prędkość | 1000 mm/s (XY) |
| Przyśpieszenie | 1,0 g |
| Układ napędowy | Serwo AC |
| Specyfikacje platformy roboczej | |
| Typ ścieżki | Pasek |
| Nośność szyn | 3 kg |
| Zakres grubości podłoża (bez nośnika) | 0,5–6 mm |
| Przesuw w osi Z | 100 mm |
| Maks. wysokość komponentu (górna strona) | 26 mm |
| Maks. wysokość komponentu (dolna strona) | 23 mm |
| Protokół komunikacyjny | SMEMA |
| Zakres roboczy | |
| Obszar obróbki plazmowej (szer. × głęb.) | 350–475 mm |
| Kąt zwilżania wodą (WCA) po obróbce plazmowej | WCA < 10° (płytka krzemowa) WCA < 20° (niemetalowy) |
| Metoda obróbki plazmowej | Proces O2 do usuwania zanieczyszczeń organicznych Proces H2 do usuwania tlenków metali |
| Wymagania systemowe plazmowe | |
| Moc RF | 600 W przy 27,12 MHz |
| Główny gaz plazmowy | Argon |
| Gaz procesowy | O2, N2 lub H2 |
| Zakres ciśnienia zasilania gazem | 0,3–0,7 MPa (40–100 psi) |
Adres
5. piętro, budynek 2, nr 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, prowincja Guangdong, Chiny.
Tel
